正电子湮没参数相关论文
利用正电子湮没寿命谱(PALS)研究了环氧树脂蒙脱土纳米复合材料中正电子湮没参数、自由体积特性和力学性能随蒙脱土含量的变化.......
用阳极氧化法按不同条件制备的多孔硅,其薄层厚度仅为几十个纳米,远小于Na源的正电子平均射程,对于这样的薄层,发展了测定正电子湮......
