在400℃下对单晶6H-SiC进行了400keV氦离子辐照,辐照剂量为1×1016He+/cm~2,随后在1200和1500℃退火30min。采用透射电子显微镜和......

本文采用30 keV的He离子辐照Hastelloy N合金,辐照温度为500°C,剂量分别为:1×1015、5×1015、1×1016 He+/cm2.利用扫描电子显微......

高Z材料钨(W)因其熔点高、抗溅射能力强、不与H反应,以及低的氚滞留率、寿命长等特点成为面向等离子体材料的候选材料。然而,在聚......

本文根据钚材料的元素成分和放射性核素的级联衰变规律,编程计算了共涉及11种核素杂质以及氦气的生成。采用蒙特卡罗方法计算,得到......