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垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)限制电流流入的方式有许多种, 其中氧化孔径(电流注入孔径)限制法制备工艺简单, 成为普遍选用的......
研究大功率底发射VCSEL 单管器件光束质量,分析了电流、出光孔径、衬底厚度等因素对M因子、远场发散角、近场及远场光强分布等......
为了在制作垂直腔面发射激光器(VCSEL)时选择合适的氧化孔径尺寸,以获得较好的光束质量和较高的输出功率,对具有不同氧化孔径的单......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOCVD)，制备了顶端发射氧化物限制、内腔接触结构980nm的垂直腔面发射激光器．应用了选择氧化和......
采用矢量场模型，对具有诱人应用前景的圆柱形垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的模式阈值增益进行了数值模拟；为减弱金属圆柱的反射以......
垂直腔面发射激光器(Vertical-cavity surface-emitting laser,VCSEL)的最早设想是由日本东京工业大学伊贺健一(K.Iga)教授的研究......
基于氧化限制型内腔接触垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构设计,研究了VCSEL的多横模分布及其模式波长分裂特性与氧化孔径尺寸、形状......
本工作以矢量场模型出发，对具有诱人应用前景的柱形垂直腔面发射结构(VCSEL)的微腔半导体激光器(MCSL)进行了理论分析，建立了用于分......
