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光电化学分解水制取氢气是缓解能源危机的一种有效手段。拓宽半导体光电极材料光谱响应范围、促进电子-空穴对分离速率、提高光生......
氧化锌(ZnO)是一种直接带隙宽禁带宽度半导体材料,室温下禁带宽度为3.37 eV、激子束缚能高达60 meV。由于ZnO材料来源广泛,制备成......
环境污染是人类当前面临的主要问题之一,借助ZnO纳米材料的光电性能,探索其在环境的应用,对实现环境的可持续发展具有重要意义。Zn......
氧化锌(ZnO)是非常重要的半导体材料之一。在室温条件下,氧化锌的禁带宽度为3.37 eV,使其能够在很多方面得到很好的应用,尤其是传......
脉冲功率技术和脉冲电流试验技术对放电开关提出了越来越高的要求,如较长的使用寿命、宽的工作范围、较小的触发时延及抖动等。为了......
用X射线衍射和透射电镜表征了直接沉淀法制得的纳米ZnO粉体的晶型、晶格常数、粒径及形貌等.研究了退火对纳米ZnO粉体制成的膜气敏......
作为典型的第三代半导体材料,氧化锌因其自身独有的电学、光学记忆性能被广泛地应用于导电记忆元件、激光系统以及集成电路中,以此......