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氧杂质效应相关论文
二硅化钨形成、结构和电性质的研究
本文报道用As离子束混合形成WSi2的结构和电性质的研究结果。指出在衬底温度350℃下注入,WSi2的形成温度可大大降低.WSi2薄膜电阻......
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离子束混合
硅化钨的电特性
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