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氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管相关论文
栅极面积和ESD结构对AlGaN/GaN MIS-HEMTs中LPCVD-SiNx栅介质TDDB特性的影响
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氮化镓金属-绝缘层-半导体高电子迁移率晶体管
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