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氮氧钛铪相关论文
小尺寸MOSFET阈值电压模型及高k栅介质研究
随着MOSFET特征尺寸的不断减小,一些新的物理现象(如:栅极漏电增加、短沟道效应等)不断涌现。而栅极漏电的增加直接导致器件不能正......
学位
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
高k栅介质
阈值电压
氮氧钛铪
叠层栅介质
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