浅电子陷阱相关论文
为了描述在晶体生长阶段掺入 [Fe(CN) 6 ]4 - 的立方体AgCl微晶中光电子的产生与衰减过程 ,建立了一种由三个固有中心和一个浅电子......
本文研究了K4[Fe(CN)6]掺杂对溴碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响.结果表明,掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响.......
研究了K4[Fe（CN）6]掺杂剂对溴碘化银颗粒乳剂感光性能的影响，结果表明掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂颗粒内部的分布区域对乳剂......
概述了表面潜影理论，较全面地介绍了表面潜影集中所采用的技术及其应用领域、实施方法和作用。......
研究了K4[Ru(CN)6]掺杂剂对澳碘化银T-颗粒乳剂感光性能的影响,结果表明掺杂剂的掺杂量以及掺杂位置对乳剂的感光性能都有影响.当K......
依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况,从而对......
利用微波吸收介电谱技术研究了KaFe（CN）6浅电子陷阱掺杂剂和S＋Au增感剂对立方体AgCl微晶光生电子衰减时间分辨特性的影响。结果表明，掺......
本文研究了K4[Ru（CN）6]掺杂剂对T-颗粒溴碘化银乳剂感光性能以及光电子寿命的影响，研究结果表明，掺杂剂的掺杂量、掺杂位置以及在乳剂......
利用微波吸收介电谱检测技术,同步检测均匀掺杂K4Fe（CN）6盐的立方体AgCl微晶在室温条件下的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱.对......
利用微波吸收介电谱检测技术,检测均匀掺杂[Fe（CN）6]4-盐的立方体AgCl微晶首次曝光后的自由和浅束缚光电子的衰减时间分辨谱。实验发......
微型传感器中氮化硅薄膜的微加工技术(见0113730) Y2000-62566-182 0113070SiGe HBTs 中寄生导带阻档层形成器件物理分析=Device ......
本工作以光电子动力学理论为依据，建立了一种描述纯卤化银微晶及掺有不同浓度金属离子络合物的卤化银立方体微晶在室温下的能级模型......
通过对掺杂（NH4）3IrCl6、（NH4）2IrCl6的氯化银乳剂进行性能应用对比，主要在普通灯光曝光性能、高照度曝光性能、潜影稳定性三个方面进行......
