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深紫外透明电极相关论文
超宽禁带半导体β-Ga2O3及深紫外透明电极、日盲探测器的研究进展
β-Ga2O3是一种新型的超宽禁带氧化物半导体,禁带宽度约为4.9 eV,对应日盲区,对波长大于253 nm的深紫外一可见光具有高的透过率,是......
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Ga2O3
超宽带隙半导体
日盲探测器
深紫外透明电极
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