氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,也是近年来研究的热点。与传统的Si材料相比,其饱和漂移速度高、禁带宽度大、临界击穿场......

用HP4294A型阻抗分析仪测量了不同直径的玻璃包裹铁基纳米晶丝在2种驱动方式下的巨磁阻抗．结果发现。纵向和环向2种驱动方式下晶丝......

利用单辊快淬法制备宽0.35 mm,厚0.033 mm的Fe76Si7.6B9.5P5C1.9非晶薄带,具有明显的纵向巨磁阻抗效应,最大磁阻比达到754%.氮气保......

通过单辊快淬法制备出Fe36Co36Nh4Si4.8B19.2非晶薄带，在空气中进行不同温度退火．采用HP4294A型阻抗分析仪测试样品的纵向驱动巨磁阻......

当今社会能源问题越显突出。随着可再生能源的日益消耗,长此以往,如果没有新型能源来替代传统能源,人类很难实现可持续发展。太阳......

为了得到高纯度的硫化亚锡薄膜,利用恒电压法成功制备了硫化亚锡微米棒薄膜,并将该薄膜在200℃真空退火1 h.结构和形貌分析表明:该......