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1200V碳化硅功率模块的封装电磁设计
随着人们对Si材料的研究趋近物理极限,材料性能更佳的SiC材料成为功率半导体芯片研究重点。与Si IGBT结构相比,SiC MOSFET芯片存在......
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SiC MOSFET功率模块的并联均流研究
采用多芯片并联的方法可提高SiC MOSFET功率模块的应用电流等级,但由于并联支路的杂散参数差异导致流过各并联芯片的电流不一致,这将......
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