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High Performance 70nm CMOS Devices
首次在国内成功地制作了栅长为70nm的高性能CMOS器件.为了抑制70nm器件的短沟道效应同时提高它的驱动能力,采用了一些新的关键工艺技......
期刊
高性能
70nm CMOS器件
源漏延伸区
氮化栅氧化介质
锗预无定形注入
自对准硅化物
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