本文在测定ＫＤＰ溶解度曲线及介稳区的基础上，通过添加几种硼酸盐类添加剂，并采用Ｚ切点籽晶实现了ＫＤＰ晶体的快速生长，［００１］和［１００］方向的生长速度可达１０～１５ｍｍ／ｄ（５Ｌ生长......

通过溶胶-凝胶法制备ZnO薄膜,使其充当控制ZnO纳米线（棒）生长的先驱物种子,再采用溶液生长法制备ZnO纳米棒,运用X射线衍射（XRD）、扫描......

简述了ZnSe体单晶熔体生长，气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质，分析并认为这些基本理化性质对Znse单晶生长......

本论文运用密度泛函理论和分子动力学方法,采用Gaussian和Material studios软件作为模拟工具,将黑索金(RDX)结晶实验和"计算实验"......

以NH4SCN和CdCl2.2H2O为反应原料,采用缓慢降温法,从水溶液中生长了尺寸为：10mm×7mm×4mm新的化合物Cd（SCN）Cl单晶体;采用元......

根据晶体生长溶剂选取原则、溶剂特性和结晶实验结果,筛选出有机溶剂环戊酮、环己酮和苯甲酸乙酯,继而采用溶液降温法分别在这3种......

本论文的主要内容是采用水溶液生长法和电沉积工艺研究基于ZnO棒晶阵列的NPC电池半导体薄膜的制备。ZnO棒晶阵列光阳极具有高比表......

溶液中的晶须生长受多种因素的制约，本文依据晶体生长的基本过程，讨论了螺型位错的来源、晶须的生长机制以及生长动力规律。从热力学......

氧化锌是一种新型的Ⅱ-Ⅳ族直接带隙宽禁带半导体材料,纳米氧化锌具有纳米材料和优异半导体材料两方面的独特性质,在液晶显示器、......

为了提高硫酸镍晶体的生长效率和晶体制做滤波器元件的效率 ,我们发现一种生长圆柱形硫酸镍晶体α -NSH(α -NiSO4 ·6H2 O)的新方......