激光辐照改性相关论文
与传统半导体Si、Ga As相比,第三代半导体Si C拥有禁带宽度大、载流子饱和转移速率高、导热系数高、击穿电场强度高以及优异的物化......
等离子体改性法是发展较为成熟的一种织物表面改性方法,织物的激光辐照改性法则是一个新的研究方向.对PET织物的激光辐照改性和等......
与传统半导体Si、GaAs相比，第三代半导体SiC具有禁带宽度大、临界击穿电场强度高、载流子饱和迁移速度高、热导率高等特点，并具有极......
本文采用激光烧结技术制备了Bi4Ti3O12陶瓷。采用CO2激光直接烧结Bi4Ti3O12陶瓷素坯表面，激光功率密度为22.3～23.8W/cm2，烧结温度为11......
本文系统地介绍了近年来国内外应用激光辐射改变功能材料电、光、磁等物理性质的研究工作，涉及半导体材料、介电材料、高温超导材料......
