烧结致密的α－ＳｉＣ在静态空气气氛中经１２００℃×１０ｈ氧化，在其表面形成一层致密的氧化膜，该层氧化膜具有β－方石英晶体结构．氧化膜的生长由Ｏ２通过ＳｉＯ２晶格间......