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OptiMOS-T-新型55V车Trench MOSFET
这种MOSFET在大多数应用中用作功率转换。55V的OptiMOS-T trench MOSFET允许在一个小面积下大幅度增加沟道密度,使在一个DPAK中电阻......
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OptiMOS-T
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MOSFET
坚固封装
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热循环过程中IGBT模块封装退化研究
IGBT模块失效的原因错综复杂,封装退化是因素之一。为剔除应用工况类因素干扰,采用更严苛的热循环试验,建立模块失效和封装退化的......
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