相变内存（Phase-ChangeMemory，PCM）被认为是最有可能取代DRAM的非挥发存储器件，它与DRAM读取性能相当且无需动态刷新，但存在着读写非对......

由河北工业大学金锡祥教授和石家庄精工化工设备有限公司共同开发的JR型合成塔内件，自1992年投放市场以来，以其触媒装填量大、触媒升......

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