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本文从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(△EV)、重掺杂禁带变窄(△Eg)及基极和......
在已建立的IGBT电学模型基础上,通过解热传导方程,建立了其在热稳定状态下的二维温度分布模型。通过该模型,分析了IGBT在热稳定条......
绝缘栅双极晶体管(Insulate Gate Bipolar Transistor,IGBT)是一种由MOSFET和双极功率晶体管结合而成的达林顿结构。它既具有MOSFE......
弗里茨·阿·李普曼（ＦｒｉｔｚＡｌｂｅｒｔＬｉｐｍａｎｎ，１８９９～１９８６）于１８９９年６月１２日生于德国东普鲁士省会，是辅酶Ａ的发现者。辅酶Ａ是生物体内普遍存在的一种物质，由于该发现的意义重大，李普曼......
随器件尺寸的不断缩小、现行SOI技术的不断采用以及介质在器件(深槽)隔离技术中的不断应用,都使得热阻不断增加,器件本身自加热和......
从热电反馈网络角度出发，在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性（△Ev）、重掺杂禁带变窄（△Eg）及基极和发射极加入......
