基于55nm CMOS工艺, 设计了一种具有宽动态范围的2.5Gb/s光接收机模拟前端电路。作为光接收机的输入级电路, 为了获得低噪声和高灵......

采用0.25μm SiGe双极CMOS(BiCMOS)工艺设计并实现了一种传输速率为25 Gbit/s的高速跨阻前置放大器(TIA)。在寄生电容为65 fF的情......

基于0.18μm BiCMOS工艺设计了一个工作速率为10Gb/s的跨阻放大器。为了解决温度变化对放大器性能的影响,引入了与温度变化有关联......