介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究......

我们对ZnO材料及其发光器件研究已十余年,近年来又了开展A1N、InN材料制备研究。ZnO研究方面:我们自行设计加工了znO生长专用MOCVD......

ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制......

用湿化学方法合成的胶体量子点凭借其制造成本低廉、量子效率高、室温下发光稳定、可溶液化处理等优势在生物标记、量子通讯、显示......

荧光共振能量转移(FRET)是指处于激发态的能量供体“非辐射”地将能量传递给能量受体的能量转移过程，所谓“非辐射”，是指能量转移过......

使用Ｓｉ－ＭＢＥ生长了阶梯形折射率分布ＳｉＧｅ／Ｓｉ量子阱材料，在低温下观测到无声子参与的光荧光和电注入发光。阶梯形折射率分别ＳｉＧｅ／Ｓｉ电子阱结构有利于提高发......

研究了不同垒厚对InGaN/GaN多量子阱电注入发光性能的影响及机理。实验发现,当GaN垒层的厚度从6 nm增大到24 nm时,垒厚的样品发光......