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电离损伤效应相关论文
3MeV质子辐照条件下DC/DC位移损伤机理研究
针对DC/DC 的质子位移效应,选取具有抗TID 能力的DC/D C 器件作为试验样品,在3 MeV 质子辐照条件下获取了器件的失效位移损伤剂量.......
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DC/DC
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