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掺磷nc-Si∶H薄膜的微结构与光电特性
采用常规射频等离子体增强化学气相沉积方法,以高氢稀释的Si H4为源气体和以PH3为掺杂剂,制备了磷掺杂的氢化纳米晶硅薄膜。结果表......
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磷掺杂氢化纳米晶硅薄膜
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界面体积分数
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暗电导率
phosphorus-doped nc-Si: H thin films crystalli
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