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瞬间蒸发法相关论文
N型Bi2Te2.5Se0.5热电薄膜的电阻率与膜厚和温度的关系
在玻璃衬底上通过瞬间蒸发法沉积了厚度为50—400nm的N型Bi:Te2,5Se0.5热电薄膜,沉积温度为473K。采用犯D、EDXA和FESEM技术分别对薄......
期刊
电阻率
Bi2Te25Se0.5薄膜
瞬间蒸发法
electrical resistivity
Bi2Te2.5Se0.5 thin film
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