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硅单晶片化学腐蚀坑深控制的研究
介绍了硅单晶化学腐蚀片及其应用,指出了应用于TVS分立器件的硅衬底化学腐蚀片的表面质量要求,即要求硅腐蚀片坑深控制在3μm以下......
期刊
硅单晶化学腐蚀片
研磨粒径
各项异性刻蚀
腐蚀坑深
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