砷化镓场效应管相关论文
主要介绍了运用Agilent公司的ADS仿真软件进行宽带低噪声放大器的设计和仿真。选用FUJITSU公司生产的砷化镓场效应管FHX13X,用ADS......
本文概述了硅锗(SiGe)技术发展趋势及优势, 阐述了硅锗双极互补型金属氧化物半导体(SiGe BiCMOS)技术, 硅锗异质结双极晶体管(SiGe......
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半 导体器件和电路的性能有重要的影响. Na+沾污 G......
采用时域有限差分方法，通过求解麦克斯韦方程、热传导方程和载流子方程，模拟了在电磁脉冲辐射下，场效应管器件温度和端口散射参数的变......
<正>南京固体器件研究所已研制成8～10GHz、输出1瓦的WC62型功率砷化镓场效应晶体管.器件栅长0.8μm,总栅宽3060μm,由36条单栅指宽8......
<正> 砷化镓场效应管工作频率高、噪声低,应用于卫星通信系统或蜂窝电话等通信装置,工作时要求负偏压,TCM850就是为这种要求开发的......
在现代无线通信系统中,射频终端放大器的性能指标影响着整个通信系统的好坏,而其在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗等系......
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用,是现代无线通信的关键设备。与传统的行......
本文涉及的X频段连续波固态功率放大器是卫星地面站的重要组成部分，其功能是将X频段微波信号放大到指定的输出电平，主要用于与卫星联......
