硅-绝缘体相关论文
对硅片直接键合方法制作的SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量,通过计算机模拟分析了击穿机理,从器件的几何尺寸和衬底......
对功率器件中常用的体连接技术进行了改进,利用一次硼离子注入技术形成体连接。采用与常规1μmSOI(硅-绝缘体)CMOS工艺兼容的工艺流程......
回顾了应用于SOI功率集成电路的SOI功率器件的发展背影,论述了SOI功率器件的开发现状,以及作为SOI功率器件基础的SOI材料制备技术和耐压结构研究的最......