硅基应变材料相关论文
根据低温SI、渐变组分SiGe及离子注入的工艺原理与特性,设计了三种控制穿透位错密度TDD和降低弛豫SiGe层厚度的应变Si材料结构,分......
论文工作来源于国家重点项目“硅基应变超高速集成器件及相关基础研究”，是学科研究的前沿。自二十世纪九十年代中后期以来，大量研究......
早在五十年前，戈登·摩尔依据半导体行业的发展规律提出了著名的摩尔定律，准确预测了晶体管体积地不断缩小给微电子行业带来的革新;......
硅基应变材料及其技术具有迁移率增强高、能带可裁减、与标准Si工艺完全兼容等高性能、低成本特性，在高速、高频、低压、低功耗等领......
硅MOS器件尺寸遵循摩尔定律不断缩小,现已接近其物理极限。硅基应变材料(锗硅和应变硅)以迁移率高、能带结构可调、且与传统的体硅......
