当前制约硅基薄膜电池发展的主要障碍是其较低的光电转换效率,因此在硅基薄膜电池中有效运用陷光设计是目前的研究重点。本文......

利用13.56 MHz的射频等离子体化学气相沉积设备(RF-PECVD)在不同沉积温度(50~400℃)下制备了一系列氢化硅氧(SiO_(x)∶H)薄膜材料,......

多结电池的叠层结构既能拓宽对太阳光谱的响应范围,又有利于提高电池的稳定性,因而成为进一步提升硅基薄膜太阳电池性能的重要途径......