碲化锗相关论文
新型二维碲化锗（GeTe）材料,具有类石墨烯褶皱结构,p型半导体,相关理论计算表明该材料具有优异的电子和光学性能,但受其自身结构限制,......
碲化锗(GeTe)是一种IV-VI族窄带隙半导体,在相变存储、热电、铁电等多个热点领域表现出优异的性能和广阔的应用前景。作为相变材料......
采用微机械剥离法得到横向尺寸为10μm的碲化锗(GeTe)纳米片.通过电子束曝光和真空溅射镀膜的方法,以钛金合金为接触电极,制备基于......
纳米结构的引入对于热学输运及热电调控方面具有重要的应用价值。由于德拜模型,非金属态材料的热导率主要受到热容和各种传输机制......
