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碲化镉汞薄膜相关论文
MBE生长的p—Hg1—xCdxTe外延薄膜变磁场下的Hall系数及电导率
本文报道了利用分子束外延技术在GaAs(211)B衬底上生长的p-Hg1-xCdxTe异质结,并通过Van der pauw(VdP)方法测量p-Hg1-xCdxTe外延薄......
期刊
外延生长
碲化镉汞薄膜
MBE法
Hall系数
电导率
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