利用ＳｉＨ４－Ｃ２Ｈ４－Ｈ２系统的反应，在１４２３Ｋ￣１６７３Ｋ温度范围内对ＳｉＣ超细粉的合成进行了系统研究。采用的粉末表征方法有透射电镜（ＴＥＭ）、红外吸收谱（ＩＲ）、Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、粉末比表面分......