制作了反向饱和电流为5.5×10-14A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱......

制作了反向饱和电流为5．5×10^14 A／cm^2，势垒高度为1．18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器．测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光......