采用MOCVD技术在Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜，以卢瑟福背散射／沟道（RBS／Channeling)技术和光致发光（PL）技术和InxCa1-xN/GaN/Al......

用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,......