穿通型相关论文
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光电晶体管．用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体......
研究了一种新型AlGaAs/GaAs穿通型光电晶体管。其独特的发射极和隔离环电极结构能消除器件周边的表面复合,减小发射极面积和电容。......
该文深入研究了光电转换机制和光电晶体管的工作原理及直流特性,把多晶硅发射极、隔离环结构和穿通机制引入器件结构设计中,讨论了......
报导了一种带有独特隔离环结构的宽禁带发射区平面穿通型光电晶体管（ＧＲ－ＰＴＨＰＴ）。在弱光信号下具有高灵敏度。器件工作时基区全部耗尽，基极电流......
报导了一种以多晶硅作发射极并带有隔离环电极，工作时基区处于穿通状态下的新结构硅光晶体管，用多晶硅作发射极比同结构单晶硅晶体管......
介绍一种超高速脉冲半导体器件,该器件属于穿通型器件,电压可达到5000 V,电流上升率可以达到20 kA/μs以上,根据参数调配,脉冲峰值......
美国飞兆半导体公司(FFairchild Semiconductor)推出两种新型1．2kV的IGBT模块——FMG2G5C)US120和FMG2G75US120。它们罘用2-PAK模块......
领先的、高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi日前宣布，推出新的高速Power MOS8（r）绝缘栅双极型晶体管......
本文给出了具有场环和场板的穿通型ＶＤＭＯＳ结构的击穿电压的解析表达式。产通过与在ｎ／ｎ＾＋外延衬底上制造的带有场环的二级管结构的ＶＤＭＯＳ器件的实验结......
<正>毛母质瘤又称Malherbe钙化上皮瘤,首先由Malherbe和Chenantais于1880年报道[1]。临床上偶可见到穿通型毛母质瘤、水疱型毛母质......
本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应对穿通击穿电压的改进，经比较理......
本文引用了附加有浮动电位保护环和场板的ＶＤＭＯＳ结构击穿电压的解析表达式，描述了浮动电位保护环和场板效应对穿通击穿电压的改进，经比较，理......
