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基于新型1200V碳化硅(SiC)MOSFET的三相双向逆变器的研究
研究了基于新一代宽禁带1 200 V碳化硅(SiC)MOSFET三相双向逆变器,由于SiC MOSFET的高耐压、低损耗、高开关频率特性,逆变电路的拓......
期刊
碳化硅
宽禁带
双向逆变器
反并联二极管
第3象限
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