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等离子体加强原子层沉积相关论文
基于高K复合介质的高密度MIM电容研究
随着集成电路的飞速发展,传统的多晶硅-绝缘体-多晶硅(PIP)或金属-氧化物-硅衬底(MOS)结构电容由于存在寄生电容、电压线性度差等......
学位
氧化铪
锆钛酸钡
氧化硅
金属-绝缘体-金属电容
反应离子溅射
等离子体加强原子层沉积
电容电压系数
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