红外光致发光相关论文
采用变激发功率红外光致发光(Photoluminescence,PL)光谱方法研究四个不同阱内δ掺杂面密度的GaSb0.93Bi0.07/GaSb单量子阱(Single......
Si基光源是实现单片光电集成的关键，也是长期以来人们一直关注和研究的前沿问题之一[1]。特别是为了克服体硅材料发光效率低下的问......
通过对用ＭＯＣＶＤ（金属有机物化学气相沉积）方法在Ｓｉ衬底上生长的ＧａＡｓ外延薄膜，用不同激发强度下的近红外光致发光研究了液氮温度下峰值能量为１．１３ｅＶ和１．０４ｅＶ两个......
光致发光（Photoluminescence,PL）光谱是研究半导体材料发光特性的经典手段,具有非破坏、高灵敏等优点,在分析半导体材料能带结构等方......
硅材料在半导体产业中具有广阔的应用前景和市场价值.但是，由于硅作为间接带隙半导体材料，其本征跃迁发光效率很低.如果可以提高......
发光显示器件采用磁控溅射掺稀土GaN薄膜具有明显的优越性，磁控溅射的制备方法具有成本低，大面积，容易工业化等特点。因此，为了实现采......
对常规傅里叶变换发光测量方法进行改进，引入双调制技术，消除了室温背景黑体辐射在４μｍ至５μｍ以上区域对光致发光测量带来的严重干扰，在１０μ......
研究了７７Ｋ下高效可见光发射多也硅材料的红外光致发光光谱，并对多孔硅表面的硅晶体完整性作了分析和表征。......
本文用红外光致发光方法研究了InP中与C带有关的深能级的性质和起源。峰值位于价带上0.34eV(77K)附近的宽谱带普遍存在于不同方式......
搭建了红外波段的傅里叶变换光致发光谱测试系统，结合FTIR光谱仪的步进扫描功能，在室温条件下对短波和中波碲镉汞材料进行了光致发光......
