纳米氧化铟相关论文
氧化铟（In2O3）作为一种新型的半导体气敏材料在气体传感器领域具有广泛的应用前景，而如何改善In2O3的气敏性能一直是该领域的研究热点......
离子液体由于具有一些优异性能,如可忽略的蒸汽压、低熔点、很宽的液相温度、低毒性、不燃性、很宽的电势窗和对有机物及无机物良......
自从20世纪90年代以来,In2O3作为新型敏感材料其气敏性能得到了国内外广泛的研究。纳米技术经过近半个世纪的快速发展在医疗、卫生......
In203是一种非常重要的透明宽带隙的半导体材料,其直接带隙为3.55-3.75电子伏特(eV)。由于其特殊的电学、化学以及光学特性,In203......
通过水热法制备了立方结构纳米In2O3的前驱体In（OH）3，研究了煅烧温度对颗粒尺寸和分散性的影响．前躯体In（OH）3和In2O3的结构、形貌以及组......
采用微乳液法合成了纳米In2O3粉体,分别采用浸渍法和共沉淀法制备了掺杂Y2O3和Nd2O3的氧化铟。利用X射线衍射、透射电镜对氧化铟的......
用微乳液法合成了纳米In2O3粉体，浸渍法制备了掺杂CeO2的氧化铟。利用X射线衍射、透射电镜对氧化铟的结构和形貌进行了表征；采用静态......
综述了纳米氧化铟的基本性能，重点介绍了国内外用气相法、液相法、固相法制备纳米氧化铟的最新研究进展，并对各种制备方法的优缺点进......
