课题组已用电沉积方法成功制备了[NiFe/Cu/Co/Cu]n自旋阀多层膜，本文在此基础上通过单槽与双槽电沉积法，在AAO模板内制备[NiFe/Cu/Co......

采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值～2......

采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度......

用射频磁控溅射方法制备多层膜，研究了双层膜ＮｉＯ／ＮｉＦｅ的顽力Ｈｅ和交换耦合场Ｈｅｘ与反铁磁层ＮｉＯ、铁磁层ＮｉＦｅ厚度的关系。结果表明：ＮｉＯ厚度为７０ｎｍ时，Ｈｅｘ最大；Ｈｃ随ＮｉＯ厚度增大而......

实验表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex.为了寻找其原因, 用X射线光......