采用新的磁控溅射两步法沉积自旋阀多层膜,不仅交换耦合作用大大增强,而且可以提高磁电阻比值和降低层间耦合作用.得到磁电阻比值～2......

采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度......

实验表明Ta/NiFe/FeMn/Ta多层膜的交换耦合场(Hex)要大于Ta/NiFe/Cu/NiFe/FeMn/Ta自旋阀多层膜中的Hex.为了寻找其原因, 用X射线光......