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表面图形相关论文

惯性约束聚变实验用平面薄膜的制备及其表面图形的引入

平面薄膜是ICF分解实验的重要靶型.以半导体技术结合重掺杂自截止腐蚀制备厚度为3-4μm的Si平面薄膜,以热蒸发结合脱膜工艺制备AI......

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平面薄膜离子束刻蚀惯性约束聚变实验表面图形制备 thin foils self-stopping etching process evaporati

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