超薄叠层栅介质相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

超薄叠层栅介质相关论文

具有超薄Si<,3>N<,4>/SiO<,2>叠层栅介质的W/TiN金属栅CMOS器件及其关键工艺研究

当多晶硅栅MOSFET's的栅长降低到亚100nm，栅氧厚度降低到2nm以下后，过大的栅隧穿漏电、日益严重的B穿透现象以及多晶硅栅耗尽效应将......

学位

金属栅CMOS器件超薄叠层栅介质栅隧穿漏电穿透现象难熔金属栅微电子学固体电子学

看过本文同时还关注