为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层(BPL)的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SO......

为了在薄埋氧层SOI衬底上实现超高耐压LDMOS铺平道路,提出了一种具有P埋层（BPL）的薄埋氧层SOI LDMOS结构,耐压1200V以上。该BPL SOI ......

采用传统固相反应法制备出Li~＋和Na~＋掺杂的（Ba（1–x）Ca_x）（Zr_yTi_（1–-y））O_3（BCTZ）介电陶瓷材料,研究了助烧剂（Li~＋和Na~＋）在不同预烧和烧结温度......