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辐照位移损伤相关论文
分子动力学模拟单晶硅的辐照位移损伤
辐射环境下材料的辐照位移损伤行为是影响电子器件性能的关键因素之一,通过辐照产生的点缺陷会经过长时间的积累和演化,会对材料的......
学位
单晶硅
辐照位移损伤
分子动力学
温度
应变
PKA能量
4H-SiC材料辐照位移损伤的分子动力学模拟
4H-SiC具有高移位阈值、宽带隙等优异的电学特性,已经成为了制造高频和抗辐照器件等方面最具发展潜力的第三代半导体材料。但是在......
学位
4H-SiC
辐照位移损伤
分子动力学
级联碰撞
缺陷
电学性质
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