输运剂相关论文
六方结构的二硫化钨（WS2）电子结构与厚度相关,与块体材料不同,单分子层厚的WS2是直接带隙半导体材料,禁带宽度约1.9 e V,高的荧光量......
以化合物Zn(NH4)3Cl5为气相输运剂,ZnSe多晶为原料,用化学气相输运技术(CVT)在封闭石英管中生长出直径9 m m、长度25 mm的Zn1+0 03......
用改进的化学气相输运技术(CVT),以Zn(NH4)3Cl5为新的气相输运剂,直接从单质Zn和Se一步在封密管中生长了ZnSe单晶,升华温度1001～102......
ZnSe作为最重要的宽禁带Ⅱ-Ⅵ族半导体，其单晶在兰绿光发射器件、非线性光电器件和红外器件方面有着广泛的应用。制备难度和诱人的......
本文直接以高纯Zn、Se单质为原料，加入少量碘单质作为反应输运剂，用化学气相输运（CVT）的方法一步成功的生长出了ZnSe单晶。采用XRD、ED......
以高纯的Zn、Mg以及Se2单质为生长原料,加入高纯的碘单质作为反应输运剂,采用化学气相输运（CVT）方法成功制备了ZnMgSe单晶,并且分别......
