简要地回顾和探讨了垂直型功率Trench金属氧化层半导体场效晶体管(MOSFET)器件(即Trench MOS)的技术发展及其当前工业化生产水平。......

研究了两种具有埋界面漏的槽型技术（Trench）功率金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）。利用埋于整个界面的漏n’层缩短开态时载流子在......

仿真研究了垂直侧壁槽（Type1）和梯形侧壁槽（Type2和Type3）600V超结金属氧化层半导体场效晶体管（MOSFET）击穿电压随电荷失衡的变化关系。......