金属离子源相关论文
利用离子注入技术进行材料表面改性，具有不改变工件的几何尺寸和材料的基体性质，蝗高材料表面的硬度，抗磨损，耐腐蚀，抗疲劳，降低摩擦系数......
文中介绍了一种新型的电子束蒸发强流气固两用离子源（ＥＢＥ）。该源的基本原理是将电子束蒸发技术引入离子源放电室内，使材料的蒸发和游离在......
离子源是离子注入设备的重要组成部分,其控制方式,工作频率以及产生离子的种类、电流强度、离子束密度等对离子注入设备的运行效率......
本文对直接从高温石墨室的稳定金属等离子体放电中,引出高束流密度的宽束离子源的设计特点和初步试验进行了介绍。金属蒸气是通过......
介绍了一种新型的电子束蒸发（ＥＢＥ）强流气、固两用离子源，其基本原理是将电子呸蒸发技术引入离子源放电室内，使的蒸发和游离一同一放电室内......
一大规模蒸发系列在 Kuqa 盆在 Paleogene 晚第三纪阶层被开发。系列由主要组成与碎屑状的岩石的薄床蒸发(主要 mudstone 和 silts......
利用金属蒸汽真空弧（MEVVA）离子源引出强流Ti离子注入单晶硅，当MEVVA源引出电压为40kV，束流密度达到100μA/cm^2，Ti离子剂量为5×10......
本文报道金属蒸发真空孤放电（ＭＥＶＶＡ）型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ和Ｃｕ。阴极触发脉冲１２ｋＶ，脉冲宽度９０μｓ，脉冲重复率１－５次／ｓ。引出束流......
根据磁过滤器对磁场的要求,利用水冷铜管产生的反向磁场,设计一个轴向磁场较弱的磁镜式磁过滤器。由数值模拟和实验研究的结果可知......
本发明公开的是一种由金属离子源、一种或多种抑制剂、至少一种含有线性或支链聚合双胍化合物的添加剂构成的配方。聚合双胍化合物......
本文报道金属蒸发真空孤放电（ＭＥＶＶＡ）型金属离子源的研究结果。阴极材料分别使用了Ａｌ、Ｔｉ、Ｆｅ和Ｃｕ。阴极触发脉冲１２ｋＶ，脉冲宽度９０μｓ，脉冲重复率１－５次／ｓ。引出束流......
