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金属肖特基场效应晶体管相关论文
国产4H-SiC SI衬底MESFET外延生长及器件研制
以国产衬底实现SiC加工工艺链为目标,采用国产4H-SiC半绝缘衬底材料外延得到4H-SiC MESFET结构材料。外延片XRD半宽43.2 arcs,方块......
期刊
4H-SIC
半绝缘衬底
金属肖特基场效应晶体管
外延
微波
功率器件
4H-SiC
SI substrate
MESFET
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micro
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