AlN是直接带隙的超宽禁带半导体材料，具有非常大的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强和热导率、优良的热稳定性和耐腐蚀性、良好......

金属(如W、Mo、Ta等)是研究最早,也是目前使用最广的场发射阴极材料,此类材料的发射机理比较清楚,制备工艺也比较成熟。虽具备易加......

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利用纳米压痕仪和扫描探针显微镜对高纯钨单晶的载荷-位移曲线、弹性模量、压痕形貌、纳米硬度-加载深度以及弹性回复率的变化情况......

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制备高质量的钨单晶的一个前提条件是坯料的纯度水平,而预处理则是决定坯料纯度的重要工序.本文探讨了三种预处理工艺,讨论了不同......

金属钨常用作X射线管、真空沉积加热器、激光反射镜和其它高技术产品用的靶子材料。但是,多晶钨制品,因其晶界易于破裂,而影响制品......

本文报导了培育φ20×80mm大尺寸钨单晶的研究情况。在原料的选择净化提纯,坯料与单晶的直径比,真空度,功率匹配,定向结晶速度,熔......

日本东京钨有限公司开展一项由政府投资3.4亿日元,为期三年的研究项目,旨在开发大直径钨单晶生产新工艺。这种钨单晶将用于制造直......

ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......

日本科学技术厅金属材料研究所研究出一种制造大型钨单晶的方法,可制成尺寸为140X I00X4.6毫米的钨单晶。制造方法是在钨粉中添加......

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探讨了三种预处理工艺，讨论了不同工艺方法对熔炼稳定性、排除间隙杂质的作用的影响，采用高纯仲钨酸铵（APT）经还原、高温烧结、电子束......