低温下，测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下，观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关；下支......

利用LPMOCVD技术在InP衬底生长了InxGa1-xGa1-x材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了生长温度对InxGa1-xAs外延......