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锗锑碲薄膜相关论文
GeSb2Te4亚稳相结构与电学性能研究
GeSbTe基相变存储器因其优异的非易失性、相变速度快等优点已经在商业领域得到广阔的发展。GeSbTe相变存储材料能够在晶体相(低阻......
学位
锗锑碲薄膜
磁控溅射法
亚稳相
电学性能
掺杂金属元素GST纳米薄膜原位电致相变研究
PCRAM主要是利用相变存储材料非晶态与晶态结构转变之间的电阻值差进行数据的存储。目前PCRAM对于材料的要求也日趋严格,比如提高......
学位
Ag-GST
Zn-GST
原位TEM
电致相变
多阻态存储
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